一种氮化镓MMIC功率放大器芯片的加工工艺
基本信息
| 申请号 | CN201910907931.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110581061B | 公开（公告）日 | 2022-03-01 |
| 申请公布号 | CN110581061B | 申请公布日 | 2022-03-01 |
| 分类号 | H01L21/02（2006.01）I;H01L21/027（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李会杰;王静辉;田志怀;李晓波;白欣娇;李婷婷;张江鹏 | 申请（专利权）人 | 同辉电子科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 河北知亦可为专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 张建茹 |
| 地址 | 050200河北省石家庄市鹿泉区高新技术开发区昌盛大街21号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种氮化镓MMIC功率放大器芯片的加工工艺，属于集成电路芯片制造的技术领域，包括对基片逐步进行光刻桥墩、清洗、溅射钛金金属层、光刻桥面、电镀、去胶、腐蚀钛金金属层、二次去胶，关键在于，所述的腐蚀钛金金属层工序包括将基片置于腐蚀液A和腐蚀液B中进行腐蚀，腐蚀液A或腐蚀液B腐蚀时，基片振动频率15‑30次/分钟，腐蚀时间55‑60s，控制环境温度为22±2℃、湿度为55±5％RH；所述金属腐蚀液A按照碘：碘化钾：异丙醇：纯水＝1:1:3:2的质量比配制；所述的腐蚀液B按照氢氟酸、双氧水、水＝1:1:10的质量比配制，本发明能够对金属进行充分腐蚀，腐蚀的效果良好，能够完美达到工艺的要求。 |
