一种SiC-MOSFET模块的驱动方法
基本信息
| 申请号 | CN202110252881.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113037261A | 公开（公告）日 | 2021-06-25 |
| 申请公布号 | CN113037261A | 申请公布日 | 2021-06-25 |
| 分类号 | H03K17/687 | 分类 | 基本电子电路; |
| 发明人 | 白欣娇;崔素杭;李帅;张策;李婷婷;袁凤坡;曹世鲲;敖金平 | 申请（专利权）人 | 同辉电子科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 石家庄元汇专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 张梅申 |
| 地址 | 050200 河北省石家庄市鹿泉区高新技术产业园区昌盛大街21号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种SiC‑MOSFET模块的驱动方法，包括以下步骤：检测采样，使用电压检测设备对电阻两端的实时电压进行检测，根据实时电压对栅极驱动电路进行调节；再将实时电压V‑s分别与参考电压V‑ref、V‑shut1或V‑shut2进行依次比较，将比较结果输入至信息发送装置中；该一种SiC‑MOSFET模块的驱动方法，通过在驱动方法中设置检测采样、存储计算、互补判断、时序判断、芯片控制、故障判断、脉冲生成七个步骤，使内外管发生故障时，不需要先关断外管、后关断内管才能保证SiC‑Mosfet在短路耐受时间内关断；通过对控制芯片的有效使用，使分级关断策略的效率被提升。 |
