制备高性能纯结晶碳化硅纳米平板陶瓷膜的方法
基本信息
| 申请号 | CN201610879952.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106431415B | 公开（公告）日 | 2019-04-30 |
| 申请公布号 | CN106431415B | 申请公布日 | 2019-04-30 |
| 分类号 | C04B35/565（2006.01）I; C04B35/622（2006.01）I; C04B38/06（2006.01）I; B01D67/00（2006.01）I; B01D69/06（2006.01）I; B01D71/02（2006.01）I; C02F1/44（2006.01）I; C02F103/08（2006.01）N | 分类 | 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕; |
| 发明人 | 杨东平; 杨洋; 刘绍辉 | 申请（专利权）人 | 河南晟道科技有限公司 |
| 代理机构 | 郑州异开专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 河南晟道科技有限公司 |
| 地址 | 475400 河南省开封市通许县产业集聚区行政路东段 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种制备高性能纯结晶碳化硅纳米平板陶瓷膜的方法，首先选用高纯6H‑SiC粉料作为基料，对支撑层、过渡层和上膜层材料进行介质气流整形，采用活塞式挤出机挤出支撑层坯体并用履带式真空微波干燥机进行固化；将过渡层的泥料挤到固化的支撑层上并放入履带式真空微波干燥机中固化，然后高温烧结；最后将上膜层泥料通过等离子方法喷涂到过渡层上即可。本发明制备方法可连续生产，节能环保效果明显，工作环境好，能很好的控制陶瓷膜的孔径尺寸、通量渗透量和粒子去除率，烧结后没有添加剂残留；成品陶瓷膜可在高温、高盐、强腐蚀工况条件下充分发挥碳化硅自身的理化性能优势，分离精度高，再生能力强，使用寿命强，能实现重复使用。 |
