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一种硅背刻蚀FBAR谐振器及其制备方法

基本信息

申请号	CN202111386561.6	申请日	-
公开（公告）号	CN114070244A	公开（公告）日	2022-02-18
申请公布号	CN114070244A	申请公布日	2022-02-18
分类号	H03H9/02（2006.01）I;H03H3/02（2006.01）I	分类	基本电子电路;
发明人	李国强	申请（专利权）人	河源市艾佛光通科技有限公司
代理机构	广州容大知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	刘新年
地址	517000广东省河源市高新技术开发区高新五路、泥金路西边办公区二楼
法律状态	-

摘要

本发明提供一种硅背刻蚀FBAR谐振器及其制备方法，该谐振器按照从下向上的顺序依次包括硅衬底、支撑层和压电层；所述支撑层下方形成有空腔，并且所述支撑层部分暴露在所述空腔中，所述空腔的侧壁由所述硅衬底形成；所述支撑层和所述压电层之间设有下电极层，所述压电层上方设有上电极层；所述谐振器还包括上负载层和下负载层；所述上负载层和所述下负载层分别沿所述上电极层和所述下电极层边沿包围设置，且所述下负载层穿透所述支撑层延伸至所述空腔内；所述上负载层和所述下负载层呈上下对称分布。本发明通过采用对称型负载层设计可以减少压电层中横向模式的声波能耗，有效降低FBAR谐振器在谐振峰位置的寄生波形，有利于构建低插损的优质体声波滤波器。