对称负载层优化的单晶薄膜体声波谐振器及其制备方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

对称负载层优化的单晶薄膜体声波谐振器及其制备方法

基本信息

申请号	CN202111385405.8	申请日	-
公开（公告）号	CN114070243A	公开（公告）日	2022-02-18
申请公布号	CN114070243A	申请公布日	2022-02-18
分类号	H03H9/02（2006.01）I;H03H3/02（2006.01）I	分类	基本电子电路;
发明人	李国强	申请（专利权）人	河源市艾佛光通科技有限公司
代理机构	广州容大知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	刘新年
地址	517000广东省河源市高新技术开发区高新五路、泥金路西边办公区二楼
法律状态	-

摘要

本发明提供一种对称负载层优化的单晶薄膜体声波谐振器及其制备方法。该谐振器按照从下往上的顺序依次包括硅衬底、支撑层和单晶压电薄膜层，所述硅衬底、所述支撑层和所述单晶压电薄膜层之间形成有空腔；所述单晶压电薄膜层的上下两侧分别设有上电极层和下电极层，所述下电极层位于所述空腔内；所述单晶压电薄膜层上端和下端分别设置上负载层和下负载层，并且所述上负载层和所述下负载层关于所述单晶压电薄膜层呈上下对称分布。本发明通过采用对称型负载层设计可以有效降低FBAR谐振器在谐振峰位置的寄生波形，本发明适用于键合工艺的单晶FBAR谐振器加工工艺中，在单晶压电层的基础上进一步降低了FBAR谐振器的损耗，有利于构建低插损的优质体声波滤波器。