半导体台面器件钝化方法
基本信息
| 申请号 | CN90106103.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN1023953C | 公开（公告）日 | 1994-03-09 |
| 申请公布号 | CN1023953C | 申请公布日 | 1994-03-09 |
| 分类号 | H01L21/31 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 周春英;吕亦梅;汪秀娟 | 申请（专利权）人 | 上海汽车电器总厂有限公司 |
| 代理机构 | 上海市机电工业管理局专利事务所 | 代理人 | 夏永兴 |
| 地址 | 200082上海市杨浦区惠民路591号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种半导体台面器件钝化方法，它将腐蚀好的台面器件冲洗好后，立即放入预先配置好的HF，HNo3，HAc，H2O溶液内，使其先生成一层染色膜，然后去掉保护胶后进行稳定处理，接着放到淀积炉内再淀积一层氮化硅，最后再涂敷一层硅漆，这样在台面上形成染色膜-Si3N4-有机硅漆的多层保护层。经本工艺钝化的半导体台面器件具有良好的稳定性和可靠性，特别是在高温环境下工作的器件，其高温性能有了显著的提高。 |
