一种高压密封结构
基本信息
申请号 | CN201020562441.8 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN201827357U | 公开(公告)日 | 2011-05-11 |
申请公布号 | CN201827357U | 申请公布日 | 2011-05-11 |
分类号 | F16J15/00(2006.01)I | 分类 | 工程元件或部件;为产生和保持机器或设备的有效运行的一般措施;一般绝热; |
发明人 | 董国胜 | 申请(专利权)人 | 河北科普斯特陶瓷科技有限公司 |
代理机构 | 北京华夏博通专利事务所 | 代理人 | 北京科普斯特自动化仪表有限公司;河北科普斯特陶瓷科技有限公司 |
地址 | 100000 北京市大兴区大兴工业开发区金苑路2号奥宇大厦703室 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本实用新型公开了一种高压密封结构,包括用于对被密封压力介质进行密封的第一级密封单元,在所述第一级密封单元的微泄漏路径设置第二级密封单元以密封微泄漏介质。本实用新型通过采用两级密封结构,使得透过第一级密封单元的微泄漏介质不会通过起隔离作用的第二级密封单元,从而达到总体密封无微泄漏的密封效果。 |
