一种光伏器件内封装方法及内封装光伏器件
基本信息
| 申请号 | CN202210255522.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114725287A | 公开（公告）日 | 2022-07-08 |
| 申请公布号 | CN114725287A | 申请公布日 | 2022-07-08 |
| 分类号 | H01L51/44（2006.01）I;H01L51/42（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 方国家;葛艳松 | 申请（专利权）人 | 武汉大学 |
| 代理机构 | 武汉智权专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 430072湖北省武汉市武昌区珞珈山 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种光伏器件内封装方法及内封装光伏器件，该光伏器件内封装方法包括：在电子传输层表面涂覆氯化铌前驱体，110～130℃退火，在电子传输层表面形成含氯的五氧化二铌薄膜，即下封装层；在下封装层表面制备钙钛矿吸光层；在钙钛矿吸光层表面涂覆正丁基溴化胺溶液，使钙钛矿吸光层表层转化为二维钙钛矿薄膜，即上封装层。本发明通过在钙钛矿吸光层与电子传输层之间形成含氯的五氧化二铌薄膜，使得钙钛矿结晶更贯穿，晶粒变大，缺陷态变小，减少碘离子迁移通道抑制碘离子迁移；正丁基溴化胺将三维钙钛矿吸光层表层转化为二维钙钛矿薄膜，使得钙钛矿吸光层表面缺陷减少，并使残余碘化铅变少，最终使钙钛矿光伏器件的光电性能及稳定性显著提升。 |
