一种制备CIGS薄膜的方法及CIGS薄膜

基本信息

申请号 CN201410598227.0 申请日 -
公开(公告)号 CN104319305A 公开(公告)日 2015-01-28
申请公布号 CN104319305A 申请公布日 2015-01-28
分类号 H01L31/0749(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 郭雨 申请(专利权)人 上海科慧太阳能技术有限公司
代理机构 深圳市凯达知识产权事务所 代理人 上海科慧太阳能技术有限公司;安科智慧城市技术(中国)有限公司
地址 200092 上海市虹口区曲阳路379、383号四层4024室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种采用多靶材制备CIGS薄膜的方法,采用镀钼的玻璃、不锈钢或柔性高分子膜作为基底,纯金属Cu、In、Ga、Se作为四个溅射靶的靶材,以纯的氩气为溅射气体,在溅射设备内对靶材进行溅射,使基底上沉积CIGS薄膜,得到的CIGS薄膜其组分为CuxInyGa(1-y)Se,0≤x<1,0<y<1;其中,Cu、In、Ga与Se的溅射功率为W1、W2、W3与W4。可通过改变溅射靶的溅射功率,直接调节薄膜的元素比,无需更换靶材情况下制备出不同组分的膜层;所制备的薄膜具有与基底结合力高、均匀性好。