一种制备CIGS薄膜的方法及CIGS薄膜
基本信息
申请号 | CN201410598227.0 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN104319305A | 公开(公告)日 | 2015-01-28 |
申请公布号 | CN104319305A | 申请公布日 | 2015-01-28 |
分类号 | H01L31/0749(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 郭雨 | 申请(专利权)人 | 上海科慧太阳能技术有限公司 |
代理机构 | 深圳市凯达知识产权事务所 | 代理人 | 上海科慧太阳能技术有限公司;安科智慧城市技术(中国)有限公司 |
地址 | 200092 上海市虹口区曲阳路379、383号四层4024室 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明涉及一种采用多靶材制备CIGS薄膜的方法,采用镀钼的玻璃、不锈钢或柔性高分子膜作为基底,纯金属Cu、In、Ga、Se作为四个溅射靶的靶材,以纯的氩气为溅射气体,在溅射设备内对靶材进行溅射,使基底上沉积CIGS薄膜,得到的CIGS薄膜其组分为CuxInyGa(1-y)Se,0≤x<1,0<y<1;其中,Cu、In、Ga与Se的溅射功率为W1、W2、W3与W4。可通过改变溅射靶的溅射功率,直接调节薄膜的元素比,无需更换靶材情况下制备出不同组分的膜层;所制备的薄膜具有与基底结合力高、均匀性好。 |
