一种多晶硅薄膜的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201410598219.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104328493A | 公开（公告）日 | 2015-02-04 |
| 申请公布号 | CN104328493A | 申请公布日 | 2015-02-04 |
| 分类号 | C30B28/14(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 李慧 | 申请（专利权）人 | 上海科慧太阳能技术有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市凯达知识产权事务所 | 代理人 | 上海科慧太阳能技术有限公司;安科智慧城市技术（中国）有限公司 |
| 地址 | 200092 上海市虹口区曲阳路379、383号四层4024室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种低温条件下的大面积多晶硅薄膜的制备方法，对衬底先进行常规清洗后，放置于真空镀膜系统中，使用氢气对衬底再进行等离子体原位清洗；采用硅烷和氢气为反应气体，在衬底上进行预沉积得到薄膜，将得到的薄膜采用氢气进行等离子刻蚀，对蚀刻后的薄膜进行再次沉积得到多晶硅薄膜。本发明的技术方案可制备廉价的高质量大面积的多晶硅薄膜，其晶粒晶界少，晶化程度高，晶粒大，用于太阳能电池上可望提高多晶硅薄膜太阳能电池的性能，同时在光电子器件等其他领域得到应用。 |
