OLED器件透明阴极及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202011523819.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112652726A | 公开（公告）日 | 2021-04-13 |
| 申请公布号 | CN112652726A | 申请公布日 | 2021-04-13 |
| 分类号 | H01L51/52;H01L51/56;C23C16/40;C23C16/455 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘腾飞;杨建兵;彭劲松;白羽;秦昌兵 | 申请（专利权）人 | 南京国兆光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 南京睿之博知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘菊兰 |
| 地址 | 211111 江苏省南京市江宁区正方中路166号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种OLED器件透明阴极及其制作方法，包括：采用原子层沉积方法在OLED器件表面直接沉积透明导电的阴极薄膜；所述原子层沉积方法制备时采用二乙基锌作为锌源材料，三甲基铝作为铝源原料以及双氧水作为氧源原料。有效避免了现有技术中的制备方法在OLED的透明阴极层领域存在工艺匹配度差或薄膜损伤的缺陷。 |
