上保温结构及晶体生长设备

基本信息

申请号 CN201720224742.1 申请日 -
公开(公告)号 CN206706252U 公开(公告)日 2017-12-05
申请公布号 CN206706252U 申请公布日 2017-12-05
分类号 C30B17/00(2006.01)I;C30B29/20(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 戎峻;杨勇;陈翼;汪志伟 申请(专利权)人 青海晶煜晶体科技有限公司
代理机构 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 刘哲源
地址 810000 青海省西宁市城中区创业路122号
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型提供了一种上保温结构及晶体生长设备,涉及泡生法制造蓝宝石技术领域,所述上保温结构,包括沿上下方向层叠且间隔设置的多个环形热屏,所述多个环形热屏同心设置;每层环形热屏用于将下方辐射来的热量反射到下方;自下而上,所述上保温结构包括温差部、散热部和保温部,所述温差部包括多个第一环形热屏,自下而上,所述多个第一环形热屏的内径逐渐增大;所述散热部包括多个第二环形热屏,所述第二环形热屏的内径大于所述多个第一环形热屏中的任意一个;所述保温部包括多个第三环形热屏,所述第三环形热屏的内径小于所述多个第一热屏中的任意一个。可以增加扩肩时期,径向的温度差,增大温度调节范围,使晶体生长更容易控制。