铝电解电容器用低压阳极箔的表面纳米布孔方法
基本信息
| 申请号 | CN200410064340.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN1598985A | 公开（公告）日 | 2005-03-23 |
| 申请公布号 | CN1598985A | 申请公布日 | 2005-03-23 |
| 分类号 | H01G9/055;H01G13/00 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 林昌健;宋延华;孙岚;谭帼英;谭惠忠 | 申请（专利权）人 | 肇庆华锋电子铝箔有限公司 |
| 代理机构 | 厦门南强之路专利事务所 | 代理人 | 厦门大学;肇庆华锋电子铝箔有限公司;广东华锋新能源科技股份有限公司;肇庆市高要区华锋电子铝箔有限公司 |
| 地址 | 361005福建省厦门市思明南路422号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 铝电解电容器用低压阳极箔的表面纳米布孔方法，涉及一种箔表面布孔方法，尤其是一种用于铝电解电容器的低压阳极箔表面纳米布孔的方法。铝光箔经表面清洗、电化学抛光，抛光液的组成为磷酸∶硫酸∶甘油＝80～160∶0.1～1∶50～100，抛光后的铝箔置于磷酸溶液中，在20～120V电压下进行一次阳极氧化，然后用磷酸和铬酸的混合溶液一次除膜至表面露出铝基体；用与一次氧化相同的实验条件进行二次氧化和二次除膜。通过调节工艺参数，可以调整布孔孔洞密度和孔径，其中孔径大小可以在50～300nm之间变化，以适用于不同应用范围的低压箔。可实现低压阳极铝箔表面的高密度纳米级布孔，可大幅度提高低压阳极铝箔的体积比电容。 |
