直拉法生长高纯锗单晶的单晶生长炉
基本信息
| 申请号 | CN201821745466.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN209039630U | 公开（公告）日 | 2019-06-28 |
| 申请公布号 | CN209039630U | 申请公布日 | 2019-06-28 |
| 分类号 | C30B29/08（2006.01）I; C30B15/00（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 董汝昆; 惠峰; 李学洋; 普世坤; 钟文; 赵燕; 陈代凤; 张鹏; 滕文; 李长林; 林作亮 | 申请（专利权）人 | 武汉云晶飞光纤材料有限公司 |
| 代理机构 | 昆明祥和知识产权代理有限公司 | 代理人 | 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司;云南中科鑫圆晶体材料有限公司;昆明云锗高新技术有限公司;武汉云晶飞光纤材料有限公司 |
| 地址 | 677000 云南省临沧市临翔区忙畔街道忙畔社区喜鹊窝组168号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 直拉法生长高纯锗单晶的单晶生长炉，涉及一种单晶生长炉设备，尤其是直拉法生长高纯锗单晶的单晶炉设备。直拉法生长高纯锗单晶的单晶生长炉，将石墨件安装在石英炉管外面，并由石英保温圈包裹将其密封，再配置相应的高频感应线圈环绕于石英炉管外部；其中，石英炉管分为两段，上段空心圆柱内腔大于下段空心圆柱内腔；所述的石英支撑件分为两个部分，一部分设置于石英炉管内，另一部分设置于石英炉管外部，支撑石墨件及石英保温圈。本实用新型的结构减少了部件所产生的污染源，进而提升超高纯锗单晶的质量水平，从而保证了晶体生长过程中热传导的均匀性，并且延长了石墨件的使用寿命。 |
