高质量碳化硅籽晶、碳化硅晶体、碳化硅衬底及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110484326.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113186601A | 公开（公告）日 | 2021-07-30 |
| 申请公布号 | CN113186601A | 申请公布日 | 2021-07-30 |
| 分类号 | C30B29/36;C30B23/02 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 彭同华;王波;赵宁;娄艳芳;郭钰;张贺;刘春俊;杨建 | 申请（专利权）人 | 江苏天科合达半导体有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 豆贝贝 |
| 地址 | 102600 北京市大兴区中关村科技园区大兴生物医药产业基地天荣大街9号2幢301室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种高质量碳化硅籽晶、碳化硅晶体、碳化硅衬底及其制备方法。本发明制备高质量的碳化硅籽晶，并控制碳化硅粉料、石墨坩埚及保温材料的杂质浓度，结合一定的晶体生长工艺以及晶片加工方式，得到了高质量的碳化硅衬底。所得碳化硅衬底具有高的结晶质量，极低的微管数量、螺位错密度和复合位错密度；同时具有极低的p型杂质浓度，表现出优良的电学性能；还具有高的表面质量。 |
