一种高质量SiC单晶片及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201911380293.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113046825A | 公开（公告）日 | 2021-06-29 |
| 申请公布号 | CN113046825A | 申请公布日 | 2021-06-29 |
| 分类号 | C30B23/00;C30B33/02;C30B29/36 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 娄艳芳;刘春俊;赵宁;彭同华;杨建 | 申请（专利权）人 | 江苏天科合达半导体有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 纪志超 |
| 地址 | 102600 北京市大兴区中关村科技园区大兴生物医药产业基地天荣大街9号2幢301室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种高质量SiC单晶片，包括：所述SiC单晶片具有直径不小于100mm的单一晶型；所述SiC单晶片从室温升温到1450℃以上，翘曲度值小于100μm，弯曲度绝对值小于60μm。本发明还提供了一种高质量SiC单晶片的制备方法。本发明提供的SiC单晶片的制备方法包括优选高质量的籽晶、生长参数稳定精确可控，通过原位退火、一次退火，尽可能地消除晶体内部残余应力；在加工过程中，尽量保持硅、碳面相近的表面状况，并在加工初期对研磨片进行退火，以降低晶片内部应力。因此，本发明提供的SiC单晶片的制备方法能够获得高温下具有良好面型参数的高质量SiC单晶片。 |
