一种电阻率均匀的半绝缘型碳化硅晶片及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201911356607.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113026093A | 公开（公告）日 | 2021-06-25 |
| 申请公布号 | CN113026093A | 申请公布日 | 2021-06-25 |
| 分类号 | C30B23/00;C30B29/36 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 刘春俊;姚静;赵宁;彭同华;杨建 | 申请（专利权）人 | 江苏天科合达半导体有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 豆贝贝 |
| 地址 | 102600 北京市大兴区中关村科技园区大兴生物医药产业基地天荣大街9号2幢301室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种电阻率均匀的半绝缘型碳化硅晶片及其制备方法，所述半绝缘型碳化硅晶片的整体范围内，电阻率的相对标准偏差小于70％，电阻率的最小值大于1×106Ω·cm。本发明还提供了一种上述技术方案所述半绝缘型碳化硅晶片的制备方法，通过采用零度籽晶生长出的晶体和同时控制晶体生长径向温度梯度保证晶体生长的平坦程度，可避免切割、加工得到的晶片的中心和边缘不同位置源自不同生长时刻，尽量保证晶片中心和边缘生长时刻非常接近，保证晶片整体掺杂的均匀性；掺杂剂均匀地合成到SiC原料中，也保证晶体内部电阻率的均匀性。半绝缘型碳化硅晶片的电阻率的相对标准偏差小于70％，晶片电阻率的最小值大于1×106Ω·cm。 |
