首页/ 武汉博而硕微电子有限公司/ 专利详情

一种用高精度低压比较器组成的高阈值电压比较电路

基本信息

申请号 CN201010152060.7 申请日 -
公开（公告）号 CN101964648B 公开（公告）日 2012-06-27
申请公布号 CN101964648B 申请公布日 2012-06-27
分类号 H03K5/22(2006.01)I 分类 基本电子电路;
发明人 杨维明;潘希武;杨武韬;吴国婧;张豪杰;杨道虹 申请（专利权）人 武汉博而硕微电子有限公司
代理机构 武汉金堂专利事务所 代理人 湖北大学;武汉博而硕微电子有限公司
地址 430062 湖北省武汉市武昌区学院路11号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明的目的是提出了一种用高精度低压比较器实现高阈值比较的电路，该电路主要是由低压运放omp1，omp2，电阻R1，R2，R3，M2，M3，M1，M4组成，M2与M3是宽长比为1∶1的PMOS，构成电流镜，M1与M4是两个高压场效应管，omp2用作比较器。本发明与普通方法相比线路简单，功耗低，大大降低成本，用低压器件实现高阈值比较，扩大使用范围。把高阈值平移到低阈值范围给低压比较器作为输入就可以实现用低压比较器实现高阈值的比较，本发明也可以采用单片集成工艺技术(BCD工艺)集成化生产。