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功率MOS器件的栅保护器

基本信息

申请号 CN90216873.8 申请日 -
公开（公告）号 CN2073169U 公开（公告）日 1991-03-13
申请公布号 CN2073169U 申请公布日 1991-03-13
分类号 H01L29/784;H01L23/58 分类 基本电气元件;
发明人 李思敏 申请（专利权）人 北京市半导体器件研究所
代理机构 北京电子工业专利事务所 代理人 梁剑锐;李顺德
地址 102206北京市昌平县沙河镇
法律状态 -

摘要

摘要 功率MOS器件的栅保护管，属半导体器件技术领域，其特征是在终端之内，在硅单晶衬底上制作保护管，并用铝条把保护管的一个极与功率MOS器件的栅极相连。