高压垂直扩散场效应管及其制法
基本信息
| 申请号 | CN88106151.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN1010066B | 公开（公告）日 | 1990-10-17 |
| 申请公布号 | CN1010066B | 申请公布日 | 1990-10-17 |
| 分类号 | H01L21/18;H01L21/304;H01L29/784 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李思敏 | 申请（专利权）人 | 北京市半导体器件研究所 |
| 代理机构 | 北京市专利事务所 | 代理人 | 王敬智 |
| 地址 | 北京市沙河镇 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种高压垂直扩散场效应管的制作方法，属半导体器件技术领域已有技术是在低阻N+的硅单晶衬底片上，生长一层高阻N-外延层然后在外延层上进行双扩散制作而成本发明不用外延片，直接在硅单晶片上制作高压VDMOS晶体管，然后采用晶片减薄工艺和薄片加工工艺，降低VDMOS晶体管的导通电阻晶片减薄工艺和薄片加工工艺的特征是把薄硅片同底托片粘接在一起形成复合片，对复合片进行加工。 |
