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带低阻薄层衬底的高压硅管及制法

基本信息

申请号 CN89103536.2 申请日 -
公开（公告）号 CN1014570B 公开（公告）日 1991-10-30
申请公布号 CN1014570B 申请公布日 1991-10-30
分类号 H01L21/302;H01L21/265;H01L21/24;H01L21/324 分类 基本电气元件;
发明人 李恩敏 申请（专利权）人 北京市半导体器件研究所
代理机构 - 代理人 -
地址 北京市昌平县沙河镇
法律状态 -

摘要

摘要 一种对具有单层衬底结构的高压半导体硅管制造方法的改进，通过背面掺杂等工艺，在衬底高阻层背面形成低阻薄层，有效地减小了接触电阻，增加了功能，简化了工艺，减少了加工中的碎片率，制成一种具有低阻薄层衬底结构的新型高压半导体硅管。