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底栅结构的低压ZnO薄膜晶体管的制备工艺

基本信息

申请号 CN201210597153.X 申请日 -
公开（公告）号 CN103094122A 公开（公告）日 2013-05-08
申请公布号 CN103094122A 申请公布日 2013-05-08
分类号 H01L21/336(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 纪成友;贾道峰 申请（专利权）人 青岛红星化工集团自力实业有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 266000 山东省青岛市李沧区四流北路35号
法律状态 -

摘要

摘要 一种底栅结构的低压ZnO透明薄膜晶体管的制备工艺，包括：清洁衬底步骤；制备栅极步骤；制备绝缘层步骤；ZnO:Al沟道层的沉积步骤；源、漏极的制备步骤。上述制备绝缘层步骤、ZnO:Al沟道层的沉积步骤以及源、漏极的制备步骤均在室温下进行。