一种薄膜晶体管生长工艺
基本信息
| 申请号 | CN201210595740.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103066129A | 公开（公告）日 | 2013-04-24 |
| 申请公布号 | CN103066129A | 申请公布日 | 2013-04-24 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/363(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 纪成友;贾道峰 | 申请（专利权）人 | 青岛红星化工集团自力实业有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 266000 山东省青岛市李沧区四流北路35号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种IGBZO?TFT生长工艺及TFT流片工艺，该IGBZO生长工艺包括：1)腐蚀ITO玻璃；2)生长IGBZO复合层结构，其中，IGBZO复合层TFT器件后期制备流程包括1)刻蚀Al；2)湿法腐蚀IGBZO。在TFT流片工艺中，注意在有源层IGBZO生长过程，减少材料缺陷、优化沟道电导性能，控制栅绝缘层IGBZO的尺寸生长。从而获得低驱动电压、高开关比的TFT器件。 |
