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负载纳米薄膜改善烧结NdFeB晶界扩散的方法

基本信息

申请号 CN202010097766.1 申请日 -
公开（公告）号 CN112750611A 公开（公告）日 2021-05-04
申请公布号 CN112750611A 申请公布日 2021-05-04
分类号 H01F41/02;H01F1/057 分类 基本电气元件;
发明人 郭芳;梁红艳 申请（专利权）人 京磁材料科技股份有限公司
代理机构 北京远大卓悦知识产权代理有限公司 代理人 卞静静
地址 101300 北京市顺义区林河南大街9号院1号楼1至11层01内3层312室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种负载纳米薄膜改善烧结NdFeB晶界扩散的方法，包括：1)制备烧结钕铁硼的黑片；2)采用磁控溅射方法对烧结钕铁硼黑片进行负载TiO2纳米晶体薄膜的制备：采用陶瓷TiO2靶，本底真空度低于3.5×10‑4Pa时开始溅射，氩气作为溅射气体，溅射过程中进行冷却；3)将负载TiO2纳米晶体薄膜的烧结钕铁硼黑片浸入含有铽和/或镝的悬浊液中采用涂覆法进行晶界扩散；4)晶界扩散完成后，进行热处理，热处理结束后，冷却到室温完成渗透过程。本发明将具有吸附特性的纳米材料与涂覆工艺耦合起来，增强了涂层的结合力，改善了涂层易脱落，涂层不均匀等缺点。