高性能烧结钕铁硼永磁体的制备方法
基本信息
申请号 | CN202210123656.7 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN114171314A | 公开(公告)日 | 2022-03-11 |
申请公布号 | CN114171314A | 申请公布日 | 2022-03-11 |
分类号 | H01F41/02(2006.01)I;H01F1/057(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 史荣莹;刘润海;李一萌;左志军 | 申请(专利权)人 | 京磁材料科技股份有限公司 |
代理机构 | 北京远大卓悦知识产权代理有限公司 | 代理人 | 史霞 |
地址 | 101399北京市顺义区林河南大街9号院1号楼1至11层01内3层312室 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了一种高性能烧结钕铁硼永磁体的制备方法,包括以下步骤:步骤一、将生坯置于真空度为0.01~0.1Pa、140~160℃条件下保温1~2h排出水气;保温结束后,充入0.02~0.06MPa的氢气,并升温至400~500℃条件下保温1~2h,然后升温至700~850℃、真空度为0.01~0.1Pa条件下保温0.5~5h排出氢气,再进行升温烧结,得到烧结毛坯;步骤二、将烧结毛坯依次经过加工、表面处理、晶界扩散处理后,得到烧结钕铁硼永磁体。本发明通过在烧结中低温阶段500℃以下置入还原性的氢气,阻碍氧化物的形成,提高钕铁硼永磁体的矫顽力。 |
