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一种节约Dy和Tb且提高永磁体矫顽力的永磁体及其制备方法

基本信息

申请号 CN202210035895.7 申请日 -
公开（公告）号 CN114068169A 公开（公告）日 2022-02-18
申请公布号 CN114068169A 申请公布日 2022-02-18
分类号 H01F41/02（2006.01）I;H01F1/057（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 史荣莹;刘润海;李一萌;左志军 申请（专利权）人 京磁材料科技股份有限公司
代理机构 北京远大卓悦知识产权代理有限公司 代理人 史霞
地址 101399北京市顺义区林河南大街9号院1号楼1至11层01内3层312室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种节约Dy和Tb且提高永磁体矫顽力的永磁体的制备方法，包括：步骤一、制备扩散剂：合金粉Ⅰ为TbH3粉、TbF3粉或TbAlCuGa合金粉中的一种，合金粉Ⅰ与HoH3粉、无水乙醇、固化液混合；步骤二、将扩散剂涂覆于基材表面；于真空度下，150℃保温1~2 h；350~550℃保温1~2 h；750~870℃，真空度保持在5.0×10‑2~1.0×10‑1 Pa之间，保温；抽真空，900～1000℃，保温10~20 h；真空度85~100 Kpa，冷却。本发明具有减少Dy和Tb的用量且提高永磁体矫顽力的有益效果。本发明公开了一种永磁体，具有Dy和Tb的用量少，且矫顽力高的有益效果。