稀土永磁体的晶界扩散方法
基本信息
申请号 | CN202010606561.1 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN112908667A | 公开(公告)日 | 2021-06-04 |
申请公布号 | CN112908667A | 申请公布日 | 2021-06-04 |
分类号 | H01F41/02 | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 高俊杨 | 申请(专利权)人 | 京磁材料科技股份有限公司 |
代理机构 | 北京远大卓悦知识产权代理有限公司 | 代理人 | 卞静静 |
地址 | 101300 北京市顺义区林河南大街9号院1号楼1至11层01内3层312室 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了一种稀土永磁体的晶界扩散方法,包括:一级脉冲电流处理:将涂覆后的烧结钕铁硼毛坯磁体在真空条件上进行热处理的同时施加一定的脉冲电流,其中所述热处理的温度为500~800℃,所述脉冲电流的频率为400~1000Hz,电流大小为500~2000A,作用时间4~15h;二级脉冲电流处理:将处理得到的烧结钕铁硼毛坯磁体置于真空条件下进行热处理的同时施加一定的脉冲电流,其中热处理的温度为25~400℃,脉冲电流的频率为10~200Hz,电流大小为10~400A,作用时间0.5~4h;随即将涂覆后的烧结钕铁硼毛坯磁体冷却至100℃以下,且后者热处理温度不高于前者热处理温度。本发明能够降高效地提高晶界扩散效率,提高稀土在磁体内部的扩散深度,基本不损失剩磁的前提下大大提高了磁体的内禀矫顽力。 |
