真空熔炼制备磁控溅射靶的冷却装置
基本信息
| 申请号 | CN201910930900.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112570691B | 公开（公告）日 | 2021-12-07 |
| 申请公布号 | CN112570691B | 申请公布日 | 2021-12-07 |
| 分类号 | B22D27/04（2006.01）I;C23C14/35（2006.01）I | 分类 | 铸造；粉末冶金; |
| 发明人 | 刘月玲;刘润海 | 申请（专利权）人 | 京磁材料科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京远大卓悦知识产权代理有限公司 | 代理人 | 史霞 |
| 地址 | 101300北京市顺义区仁和镇顺通路31号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种真空熔炼制备磁控溅射靶的冷却装置，包括：冷却水槽，其内部平行间隔设有两个隔层，两个隔层密封卡设在冷却水槽的相对两侧壁之间，以将冷却水槽分隔为位于两侧的冷水腔和位于中间的冷却腔，冷水腔设有进水口和出水口，每个隔层包括依次贴附设置的钢板、保温板、耐高温板，其中，钢板与冷却腔接触，耐高温板与冷水腔接触；一对模具，一个模具贴附设置在一个隔层上方，每个模具均具有一个缺口，一对模具对合后的缺口形成一个漏液口。本发明通过一对模具使得浇铸口的毛刺等缺陷延伸到漏液口处，确保获得的靶材成品不会残留因浇铸口带来的缺陷，本发明让冷却过程达到一个平衡点，确保最终的用于磁控溅射的靶材的品质，无裂纹缩孔。 |
