一种大载流量低温升的矩形导体的制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201310054711.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103413592B | 公开（公告）日 | 2016-06-29 |
| 申请公布号 | CN103413592B | 申请公布日 | 2016-06-29 |
| 分类号 | H01B5/02(2006.01)I;H01B7/00(2006.01)I;H01B7/02(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 罗志昭 | 申请（专利权）人 | 广东日昭电工有限公司 |
| 代理机构 | 南京天华专利代理有限责任公司 | 代理人 | 夏平 |
| 地址 | 511400 广东省广州市番禺区市桥镇迎宾路龙美路段金龙花园4街1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种大载流量低温升的矩形导体的制作方法，提出保留铜与铝合金的本体氧化层（氧化层很薄，电阻很小）做为隔离保护层，防止电化学反应，铜与铝合金（如铝镁合金、稀土铝合金）配合是搭接结合，通过隔离保护层的分裂，铜、铝合金形成两个相对独立但电位相等的导体，相互之间不会产生电磁干扰，电流密度分布均匀效果大大提高。一种矩形导体适用于各种电压等级的母线、变压器的导体。 |
