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一种LED倒装芯片的紫光外延结构及其制备方法

基本信息

申请号	CN201911424944.0	申请日	-
公开（公告）号	CN110970533B	公开（公告）日	2021-10-08
申请公布号	CN110970533B	申请公布日	2021-10-08
分类号	H01L33/06（2010.01）I;H01L33/12（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	武杰;易翰翔;李玉珠;张洪安;陈慧秋	申请（专利权）人	广东德力光电有限公司
代理机构	广州三环专利商标代理有限公司	代理人	颜希文;郝传鑫
地址	529000广东省江门市江海区彩虹路1号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种LED倒装芯片的紫光外延结构，自下而上依次包括：衬底、高温AlGaN缓冲层、N型AlGaN电子阻挡层、超晶格N型AlGaN层、超晶格AlGaN/AlInGaN层、Alx1Iny1Ga1－x1－y1N/Alx2Iny1Ga1－x1－y1N发光有源区、最后一个AlX3Ga1－x1－y1N量子垒层、P型AlGaN/AIInGaN电子阻挡层、P型AlGaN层和接触层；其中，Alx1Iny1Ga1－x1－y1N/Alx2Iny1Ga1－x1－y1N发光有源区包括多个交错层叠设置的AlInGaN量子阱层和AlInGaN量子垒层，且AlInGaN量子阱层和AlInGaN量子垒层均为Al组分渐变层。本发明还公开了一种LED倒装芯片的紫光外延结构的制备方法。本发明既能减少由材料不同带来的应力及极化电场影响，又能降低GaN材料在365～370nm波段的吸光，提高发光效率。