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一种条形化MicroLED芯片

基本信息

申请号 CN202120537648.8 申请日 -
公开（公告）号 CN214505495U 公开（公告）日 2021-10-26
申请公布号 CN214505495U 申请公布日 2021-10-26
分类号 H01L27/15（2006.01）I;H01L33/00（2010.01）I;H01L33/38（2010.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 张洪安;陈慧秋;武杰;易翰翔;李玉珠 申请（专利权）人 广东德力光电有限公司
代理机构 广州三环专利商标代理有限公司 代理人 颜希文;管莹
地址 529000广东省江门市江海区彩虹路1号
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型涉及Micro LED芯片技术领域，公开了一种条形化Micro LED芯片，包括衬底和设于衬底上的GaN基外延片，GaN基外延片自下而上依次设有N型GaN层、发光量子阱层和P型GaN层，N型GaN层上镀设有N型电极层，P型GaN层上镀设有P型电极层，GaN基外延片设有多个纵横交错分布的隔离槽，隔离槽将GaN基外延片划分为多个矩阵阵列布置的发光单元，隔离槽位于N型GaN层的上方且裸露N型GaN层的顶面，P型电极层将处于同一横列或同一数列的P型GaN层连接。采用本实用新型，同一横列或同一数列的发光单元会共同点亮，在封装工艺技术上，只需在P型电极层的两端进行焊接即可，大大降低了封装难度。