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一种大功率倒装高压芯片

基本信息

申请号	CN202120536116.2	申请日	-
公开（公告）号	CN214505531U	公开（公告）日	2021-10-26
申请公布号	CN214505531U	申请公布日	2021-10-26
分类号	H01L33/38（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I;H01L27/15（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	易翰翔;武杰;郝锐;李玉珠;陈慧秋	申请（专利权）人	广东德力光电有限公司
代理机构	广州三环专利商标代理有限公司	代理人	颜希文;管莹
地址	529000广东省江门市江海区彩虹路1号
法律状态	-

摘要

本实用新型涉及LED芯片技术领域，公开了一种大功率倒装高压芯片，包括衬底和设于衬底上的多个串联连接的GaN基外延层单元，GaN基外延层单元包括设于N型GaN层和P型GaN层，P型GaN层镀设有P型电极层，N型GaN层镀设有N型电极层，相邻的两个GaN基外延层单元中，上一个GaN基外延层单元的N型电极层通过连接电极层与下一个GaN基外延层单元的P型电极层连接，P型电极层、连接电极层和N型电极层均包括从上至下依次设置的AuSn层、Au层、Ni层、第一Ti层、第一AlCu层、第二Ti层、第二AlCu层和Cr层。采用本实用新型能减少电极层数，因此生产的工步减少，成本减少，制程加快，同时正负电极之间的高低差减少，有利于后续的焊接以及芯片的散热。