一种紫外高反射率的复合电极及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201911424903.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111129257B | 公开（公告）日 | 2021-10-08 |
| 申请公布号 | CN111129257B | 申请公布日 | 2021-10-08 |
| 分类号 | H01L33/46;H01L33/42 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 易翰翔;李玉珠;武杰;张洪安;陈慧秋 | 申请（专利权）人 | 广东德力光电有限公司 |
| 代理机构 | 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人 | 颜希文 |
| 地址 | 529000 广东省江门市江海区彩虹路1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种紫外高反射率的复合电极，包括N型层、设于所述N型层上方的量子阱及设于所述量子阱上方的P型层，所述P型层上方设有多个独立的ITO圆柱，所述ITO圆柱表面设有连续的Al薄膜。本申请复合电极中，通过ITO圆柱图形化及纯Al薄膜的搭配设计，大大改善了电流扩展效果，减少ITO吸光面积，减少反射路径和路经的吸光层；形成纯Al+DBR的复合反射层，大大提高反射率。同时，本发明还公开一种所述紫外高反射率的复合电极的制备方法。 |
