红外半导体激光器及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011463525.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112582879A | 公开（公告）日 | 2021-03-30 |
| 申请公布号 | CN112582879A | 申请公布日 | 2021-03-30 |
| 分类号 | H01S5/20(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I;H01S5/32(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 黄文祥 | 申请（专利权）人 | 睿创微纳（无锡）技术有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李晓光 |
| 地址 | 214001江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号中国传感网国际创新园G8-403-A | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请实施例公开了一种红外半导体激光器及其制备方法，包括多个级联台阶、关于多个级联台阶对称设置的第一波导层和第二波导层以及关于多个级联台阶对称设置的第一外限制层和第二外限制层，其中，第一外限制层和第二外限制层均为n型重掺杂的InAs层，由于n型重掺杂的InAs层具有较低的折射率，增大了外限制层和级联台阶的折射率差值，从而使级联台阶中的光场限制因子增大，提高了红外半导体激光器的光学增益，进而降低了红外激光器的阈值电流和能耗。同时，由于n型重掺杂的InAs层具有较高的热导率，避免了热量积累，从而提高了红外激光器的工作温度。 |
