一种带间级联激光器及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202011460100.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112563885A | 公开（公告）日 | 2021-03-26 |
| 申请公布号 | CN112563885A | 申请公布日 | 2021-03-26 |
| 分类号 | H01S5/343(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 黄文祥 | 申请（专利权）人 | 睿创微纳（无锡）技术有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李晓光 |
| 地址 | 214001江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号中国传感网国际创新园G8-403-A | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种带间级联激光器及其制作方法，该带间级联激光器通过引入折射率小于中心有源区的n+型的InAsSb作为限制层，代替部分InAs/AlSb超晶格，且其晶格常数与GaSb衬底匹配，与传统的InAs/AlSb超晶格相比，n型重掺杂的InAsSb层具有较高的热导率，提高了红外半导体的工作温度；同时，由于n型重掺杂的InAsSb层具有较低的折射率，可以将光场更多地限制在有源区内，使光场限制因子增大，提高了激光器的光学增益，降低了红外半导体激光器的阈值电流和功耗。 |
