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绝缘体上硅的横向N型绝缘栅双极晶体管

基本信息

申请号 CN200910212769.9 申请日 -
公开（公告）号 CN105097903B 公开（公告）日 2020-07-03
申请公布号 CN105097903B 申请公布日 2020-07-03
分类号 H01L29/739;H01L29/06;H01L29/36 分类 -
发明人 李海松;王钦;刘侠;杨东林;陈文高;祝靖;刘斯扬;易扬波 申请（专利权）人 苏州博创集成电路设计有限公司
代理机构 南京经纬专利商标代理有限公司 代理人 苏州博创集成电路设计有限公司
地址 215123 江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖林泉街399号1号楼3层
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种绝缘体上硅的横向N型绝缘栅双极晶体管，包括：P型掺杂半导体衬底，在P型掺杂半导体衬底上面设有埋氧层，在氧化层上设有N型漂移区，在N型漂移区中设有较高浓度的N型掺杂半导体区，这个较高浓度的N型掺杂半导体区位于场氧化层右端第二鸟嘴区域的下方并包围整个鸟嘴区域，其浓度高于N型漂移区的浓度，同时，该器件的阳极接触区域在器件的宽度方向上是由P型掺杂区域和N型掺杂区域交替排列形成的。并且，该绝缘体上硅的横向绝缘栅双极晶体管的场氧化层属于两层台阶场氧化层，栅极延伸至场氧化层上方形成的场板也是二阶场板，其能够有效的提高器件的横向耐压水平。