一种用于电子级羰基硫存储容器的界面处理工艺及应用
基本信息
| 申请号 | CN202111621693.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114045492A | 公开（公告）日 | 2022-02-15 |
| 申请公布号 | CN114045492A | 申请公布日 | 2022-02-15 |
| 分类号 | C23C28/00（2006.01）I;C23C8/10（2006.01）I;C23C8/80（2006.01）I;C23C26/00（2006.01）I;F17C1/00（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 高如天;金向华;孙猛 | 申请（专利权）人 | 金宏气体股份有限公司 |
| 代理机构 | 苏州翔远专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 叶丙静;陆金星 |
| 地址 | 215152江苏省苏州市相城区黄埭镇潘阳工业园安民路6号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种用于电子级羰基硫存储容器的界面处理工艺，电子级羰基硫存储容器为钢瓶，界面处理的对象为钢瓶内壁，所述钢瓶内壁经界面处理后形成氧化层‑羟基中间层‑三甲基氯硅烷保护层的结合层。本发明采用界面处理工艺对钢瓶内壁进行改性处理，脱除钢瓶内壁吸附的水份，避免储存过程中电子级羰基硫气体与水反应而影响羰基硫气体纯度。 |
