一种铸造单晶硅的前处理方法
基本信息
| 申请号 | CN202011146517.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114497269A | 公开（公告）日 | 2022-05-13 |
| 申请公布号 | CN114497269A | 申请公布日 | 2022-05-13 |
| 分类号 | H01L31/18（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 许志 | 申请（专利权）人 | 福建新峰二维材料科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 362000福建省泉州市台商投资区东园镇东经2路办公路 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种铸造单晶硅的前处理方法，其特征在于，包括以下步骤：使用砂浆线切割设备将铸造单晶硅锭切割成铸造单晶硅片；利用酸性溶液清洗去除铸造单晶硅片表面的油污、金属颗粒以及其他杂质；在硅片表面沉积一层磷硅玻璃层，并进行退火处理；将处理后的硅片用溶剂去除表面反应层和吸附的杂质。 |
