一种采用氢钝化的异质结太阳电池的制造方法

基本信息

申请号 CN202111129304.4 申请日 -
公开(公告)号 CN113937185A 公开(公告)日 2022-01-14
申请公布号 CN113937185A 申请公布日 2022-01-14
分类号 H01L31/18(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 许志 申请(专利权)人 福建新峰二维材料科技有限公司
代理机构 北京中济纬天专利代理有限公司 代理人 张磊
地址 362100福建省泉州市台商投资区东园镇东纬三路
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种采用氢钝化的异质结太阳电池的制造方法,它包括氢钝化工序,具体如下:采用等离子体增强化学的气相沉积法对制绒后的半导体基板表面进行氢钝化、氧化处理,之后清洗去除氢钝化、氧化处理形成的膜层。本发明的目的在于提供一种采用氢钝化的异质结太阳电池的制造方法,不但能够提高异质结太阳能电池的转换效率,而且能够解决铸造单晶硅和多晶硅体少子寿命低、杂质缺陷多等问题,使其应用于异质结太阳能电池当中,从而进一步降低异质结太阳能电池的制作成本。