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一种减少位错缺陷及多晶占比的铸造晶硅制备方法

基本信息

申请号 CN202011154191.9 申请日 -
公开（公告）号 CN114481319A 公开（公告）日 2022-05-13
申请公布号 CN114481319A 申请公布日 2022-05-13
分类号 C30B29/06（2006.01）I;C30B11/14（2006.01）I;C30B28/06（2006.01）I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 许志 申请（专利权）人 福建新峰二维材料科技有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 362000福建省泉州市台商投资区东园镇东经2路办公路
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种减少位错缺陷及多晶占比的铸造晶硅制备方法，方法如下：直拉单晶圆棒去除边皮后得到无圆角的单晶方棒；垂直晶硅生长方向将单晶方棒切割成大籽晶块；所述单晶方棒或边皮切割成小籽晶块；将所述大、小籽晶块铺设在坩埚底部，形成完整的籽晶层；在籽晶层上放置原生多晶硅料、单晶边皮及头尾边等循环料；将装满多晶硅料的坩埚放入铸锭炉中，采用半融工艺得到铸造单晶硅锭或多晶硅锭；将硅锭进行开方，开方后得到小方锭；将小方锭进行切片后得到铸造单晶硅片或多晶硅片。本发明使小、大籽晶块接缝处形成功能晶界阻止坩埚四周的多晶晶粒往内部生长，能够显著改善铸造单晶硅片的位错缺陷及多晶占比，从而改善铸造单晶硅片质量。