一种铸锭单晶或多晶硅异质结太阳能电池片的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011131573.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114388638A | 公开（公告）日 | 2022-04-22 |
| 申请公布号 | CN114388638A | 申请公布日 | 2022-04-22 |
| 分类号 | H01L31/0236（2006.01）I;H01L31/0224（2006.01）I;H01L31/074（2012.01）I;H01L31/18（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 许志 | 申请（专利权）人 | 福建新峰二维材料科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 362000福建省泉州市台商投资区东园镇东经2路办公路 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种铸锭单晶或多晶硅异质结太阳能电池片的制备方法，所述方法包括如下步骤：用湿化学溶液清洗硅片，去除表面的油污、金属颗粒以及其他杂质；硅片表面沉积一层N型非晶或微晶硅氧薄膜并进行一系列退火处理；进行表面清洗，并去除表面非晶或微晶硅氧薄膜；进行表面制绒；进行氢处理；进行非晶硅或微晶层镀膜，形成有效的PN结发射层和背电场；在硅片薄膜层的正反面分别生成透明导电膜层；在硅片正反面的透明导电膜层上形成栅线电极，完成制作流程。本发明中进行退火处理，有利于钝化晶界和提升少子寿命，将体硅中晶粒位错进行重整，减少晶格缺陷，并进行氢处理，利用H原子进一步修复晶格缺陷，提高后续的钝化水平。 |
