一种P型掺杂层朝前的异质结光伏电池的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011147172.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114497246A | 公开（公告）日 | 2022-05-13 |
| 申请公布号 | CN114497246A | 申请公布日 | 2022-05-13 |
| 分类号 | H01L31/0236（2006.01）I;H01L31/0224（2006.01）I;H01L31/074（2012.01）I;H01L31/18（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 许志 | 申请（专利权）人 | 福建新峰二维材料科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 362000福建省泉州市台商投资区东园镇东经2路办公路 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种P型掺杂层朝前的异质结光伏电池的制备方法，所述方法包括如下步骤：硅片预清洗；PSG氧化层沉积及高温处理；去除表面的PSG/USG氧化层，用碱液去损伤和制绒，并清洗；PECVD镀膜制备表面钝化膜层和掺杂膜层；PVD磁控溅射制备透明导电膜；表面形成金属栅线。本发明把P型掺杂的薄膜层前置，可以降低对硅片品质的敏感性，为了消除原有P型非晶硅的缺点，用含氧型P型微晶代替传统P行非晶硅膜层，同时增大能带带隙和提高导电性，传统上成本较低的铸锭单晶方式也可以导入异质结的规模量产，对异质结的持续降本非常有利，同时现有的多晶炉可以经简单改造，形成有效产能，减少设备的投资浪费。 |
