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一种硅基异质结太阳能电池制备方法

基本信息

申请号	CN202011133338.6	申请日	-
公开（公告）号	CN114388640A	公开（公告）日	2022-04-22
申请公布号	CN114388640A	申请公布日	2022-04-22
分类号	H01L31/0236（2006.01）I;H01L31/0224（2006.01）I;H01L31/074（2012.01）I;H01L31/18（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	许志	申请（专利权）人	福建新峰二维材料科技有限公司
代理机构	-	代理人	-
地址	362000福建省泉州市台商投资区东园镇东经2路办公路
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种硅基异质结太阳能电池制备方法，所述方法包括以下步骤：提供一种N型单晶硅片；化学抛光：处理硅片机械损伤层，去除硅片表面杂质；在硅片表面通过扩散形成一层磷扩散层与PSG层；腐蚀清洗：去除硅片表面的PSG层；制绒清洗：在硅片表面形成金字塔绒面；在硅片其中一面形成本征非晶硅层与N型非晶硅层，另一面形成本征非晶硅层与P型非晶硅层；在硅片正背面沉积透明导电膜层；在硅片正背面形成金属栅线电极。本发明在制绒清洗前对硅片进行磷扩散、高温氧化处理，大幅改善了硅片内部晶格缺陷，减少了硅片内部的碳、硫以及金属等杂质，从而提升了硅片的体少子寿命，改善了硅片沉积非晶硅后的界面钝化，进而提升了电池的转换效率。