一种低介电热致液晶聚合物及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110161289.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113024785A | 公开（公告）日 | 2021-06-25 |
| 申请公布号 | CN113024785A | 申请公布日 | 2021-06-25 |
| 分类号 | C08G63/688;C09K19/38 | 分类 | 有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物; |
| 发明人 | 王贤文;廖坚良;李培骏;黄文刚;潘宏程;梁军 | 申请（专利权）人 | 广东优巨先进新材料股份有限公司 |
| 代理机构 | 广州致信伟盛知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李东来 |
| 地址 | 541004 广西壮族自治区桂林市七星区建干路12号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种低介电热致液晶聚合物及其制备方法，所述液晶聚合物，按摩尔百分比计，包含衍生自以下单体的重复单元：对羟基苯甲酸40~60mol%；芳香型二醚二酸10~20mol%；对苯二甲酸5~10mol%；间苯二甲酸5~10mol%；双酚S 10~20mol%；联苯二酚5~15mol%。本发明通过选用芳香型二醚二酸和双酚S，在液晶聚合物分子链中引入非共轭分子结构降低分子主链电子流动性，从而降低液晶聚合物的介电常数；通过控制各单体结构的含量比，制备得到兼具低介电常数和高力学强度的热致液晶聚合物，能够满足5G技术发展对低介电材料的需求。 |
