聚芳醚腈/超支化酞菁铜介电薄膜及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN200910310566.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101717569B | 公开（公告）日 | 2011-08-10 |
| 申请公布号 | CN101717569B | 申请公布日 | 2011-08-10 |
| 分类号 | C08L71/10(2006.01)I;C08L79/04(2006.01)I;C08G73/06(2006.01)I;C08J5/18(2006.01)I | 分类 | 有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物; |
| 发明人 | 钟家春;余兴江;刘孝波;任伟;李岳山 | 申请（专利权）人 | 四川飞亚新材料有限公司 |
| 代理机构 | 成都虹桥专利事务所 | 代理人 | 四川飞亚新材料有限公司 |
| 地址 | 628000 四川省广元市经济开发区王家营都市工业园四川飞亚新材料有限公司 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于高分子介电材料领域，特别涉及聚芳醚腈/超支化酞菁铜介电薄膜及其制备方法。本发明所解决的技术问题是提供一种高强度、低损耗聚芳醚腈/超支化酞菁铜介电薄膜。本发明的聚芳醚腈/超支化酞菁铜介电薄膜是由聚芳醚腈、双邻苯二甲腈和氯化亚铜共混后成膜得到，双邻苯二甲腈与氯化亚铜的重量之和与聚芳醚腈的重量比为10～40∶60～90，双邻苯二甲腈与氯化亚铜的摩尔比为2.5～3.5∶0.5～1.5。本发明的聚芳醚腈/超支化酞菁铜介电薄膜均匀致密，具有优异的介电性能和力学性能，能够解决现有技术的介电损耗高和由于填料填充量过高薄膜力学性能下降等问题。 |
