一种用于VGF磷化铟单晶生长炉内的炉芯
基本信息
| 申请号 | CN202121613081.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN215328462U | 公开（公告）日 | 2021-12-28 |
| 申请公布号 | CN215328462U | 申请公布日 | 2021-12-28 |
| 分类号 | C30B29/40（2006.01）I;C30B11/00（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 赵兴凯;韦华;叶晓达;包文瑧;韩家贤;王顺金;陈娅君;祝永成;柳廷龙;黄平;刘汉保 | 申请（专利权）人 | 云南鑫耀半导体材料有限公司 |
| 代理机构 | 昆明祥和知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘敏 |
| 地址 | 650000云南省昆明市高新区电子工业标准厂房A栋1楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开一种用于VGF磷化铟单晶生长炉内的炉芯，所述炉芯从内到外依次包括炉芯杆、高铝水泥层和湿毡层，所述炉芯杆包括圆柱形主杆和两条半圆形侧管，侧管对称设置于主杆两侧，并和主杆一体成型，炉芯杆为石英材质，所述侧管内置测温热电偶，且测温热电偶与炉芯杆活动连接，本实用新型的VGF法磷化铟单晶生长炉芯，设计科学，结构简单，使用方便，炉芯内测温热电偶位置可精确调整，使不同炉芯的测温点固定一致，增加了炉芯内测温的真实准确性，特别地，在测温热电偶失效后，可以自由拆卸测温热电偶进行维修或更换，提高了炉芯使用寿命，节约生产成本。 |
