不同偏角度砷化镓籽晶加工及砷化镓单晶的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202111179012.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113981523A | 公开（公告）日 | 2022-01-28 |
| 申请公布号 | CN113981523A | 申请公布日 | 2022-01-28 |
| 分类号 | C30B11/14（2006.01）I;C30B29/42（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 韩家贤;王顺金;韦华;赵兴凯;何永彬;柳廷龙;刘汉保;黄平;陈飞鸿;李国芳 | 申请（专利权）人 | 云南鑫耀半导体材料有限公司 |
| 代理机构 | 昆明祥和知识产权代理有限公司 | 代理人 | 和琳 |
| 地址 | 650000云南省昆明市高新区电子工业标准厂房A栋1楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 不同偏度砷化镓籽晶加工及砷化镓单晶的制备方法，涉及半导体晶体生长领域，尤其是一种砷化镓单晶的制备技术。本发明的方法包括了籽晶胚的加工和定向、籽晶抛光和清洗、单晶生长等步骤，其中，钻取种子胚大小适中，种子胚比种子小嘴内径小0.025mm‑0.76mm。抛光剂采用溴素和乙醇按体积比2：1‑1：4进行配置。本发明的优点是不同偏角度（100）到（111）偏0°、2°、6°、10°和15°的籽晶生长的砷化镓单晶体与国家标准（GB/T 30856‑2014）对位错的要求相比，其位错非常低、结晶度高。最主要的是晶圆抛光后进行外延，外延淀积速率高,外延层表面质量也较好,外延层的生长参数也易于控制。 |
