碳化硅单晶生长中废料的回收处理方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

碳化硅单晶生长中废料的回收处理方法

基本信息

申请号	CN202110911820.6	申请日	-
公开（公告）号	CN113564712A	公开（公告）日	2021-10-29
申请公布号	CN113564712A	申请公布日	2021-10-29
分类号	C30B29/36（2006.01）I;C30B23/00（2006.01）I;C30B33/00（2006.01）I	分类	晶体生长〔3〕;
发明人	黄四江;普世坤;刘得伟;王美春;惠峰;沙智勇;殷云川;尹归;杨海平;王东	申请（专利权）人	云南鑫耀半导体材料有限公司
代理机构	昆明祥和知识产权代理有限公司	代理人	刘敏
地址	677000云南省临沧市临翔区忙畔街道忙畔社区喜鹊窝组168号
法律状态	-

摘要

碳化硅单晶生长中废料的回收处理方法。本发明属于第三代半导体材料碳化硅单晶生长及加工领域，具体涉及碳化硅单晶生长及加工过程碳化硅废料的回收处理方法，具体包括按顺序依次焙烧脱除碳单质、混酸处理脱除微量元素和碱氧化处理脱除硅单质三个步骤，其中脱除碳单质的方法为将碳化硅废料磨成粒径小于200微米的粉料后，装入石英舟放入管式炉内，管式炉加热到400℃‑600℃，焙烧2h‑5h，设定氧气瓶的通气速率以100kPa‑200kPa的压力值注入，冷却后取出石英舟，获得脱除碳单质的碳化硅废料，本发明方法脱除了碳化硅废料中含量较多的杂质，经以上步骤提纯后得到高纯碳化硅粉料，再把碳化硅粉料利用于碳化硅单晶的生产，以达到碳化硅废料的综合回收再利用，减少了碳化硅废料对环境的污染。