一种VGF法生长单晶的单晶炉结构
基本信息
| 申请号 | CN202022367535.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN213507285U | 公开（公告）日 | 2021-06-22 |
| 申请公布号 | CN213507285U | 申请公布日 | 2021-06-22 |
| 分类号 | C30B11/00（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 陈娅君;刘汉保;普世坤;柳廷龙;叶晓达;柳廷芳;黄平;吕春富;张春珊;王顺金;陈维迪 | 申请（专利权）人 | 云南鑫耀半导体材料有限公司 |
| 代理机构 | 昆明祥和知识产权代理有限公司 | 代理人 | 董昆生 |
| 地址 | 650000云南省昆明市高新区电子工业标准厂房A栋1楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种VGF法生长单晶的单晶炉结构，属于半导体材料技术领域，包括炉体外壁、保温层,保温层内包括生长段和炉芯段，生长段横向设置有数组热电偶，每组的两个热电偶测温点对称设置于坩埚两侧，炉芯段纵向设置有数个热电偶，炉芯段第一热电偶其测温点与籽晶段底部平行，第二热电偶其测温点为坩埚的放肩处，第三热电偶其测温点为坩埚转肩处的中部，第三热电偶为热电偶族，从转肩处中部横向形成一个圆形截面，沿其边缘等分设置不少于6个热点偶，本发明通过晶体生长热电偶的损坏情况和成晶情况合理安装热电偶，使得炉膛的使用寿命增加，减少维修次数，避免了由于单一热电偶损坏造成晶体报废，降低了生产成本。 |
