低颗粒度、低暗点半绝缘砷化镓晶片的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202111065459.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113913939A | 公开（公告）日 | 2022-01-11 |
| 申请公布号 | CN113913939A | 申请公布日 | 2022-01-11 |
| 分类号 | C30B29/42（2006.01）I;C30B11/00（2006.01）I;C30B33/02（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 王顺金;惠峰;韩家贤;刘汉保;柳廷龙;韦华;普世坤;赵兴凯;何永彬;唐康中;吕春富;鲁闻华;黄平;陈飞宏;李国芳 | 申请（专利权）人 | 云南鑫耀半导体材料有限公司 |
| 代理机构 | 昆明祥和知识产权代理有限公司 | 代理人 | 和琳 |
| 地址 | 650000云南省昆明市高新区电子工业标准厂房A栋1楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 低颗粒度、低暗点半绝缘砷化镓晶片的制备方法，属于半导体衬底材料制备技术领域。本发明的方法具体为将7N砷化镓多晶和半绝缘砷化镓晶体回料按一定比例配料，利用腐蚀液清洗多晶料及回料表面杂质及附着物，并将砷化镓多晶料、回料、氧化硼、砷在洁净间内装入PBN坩埚，将高纯碳帽套在坩埚颈部，PBN坩埚放置于石英管内，石英管口放置石英封帽，对石英管加热抽真空后封焊，采用VGF工艺进行单晶生长，将所得单晶切除头尾后切片，最后对晶片采用砷压闭管高温退火处理。发明在现有技术基础上，通过对单晶生长过程中碳的掺杂调控，获得原始暗点、颗粒度较低的高质量单晶，有利于进一步降低晶片内的暗点及颗粒度值。 |
